Samsung, leader nella produzione di vari dispositivi tra fascia consumer, business ed Enterprise, introduce sul mercato le nuove unità di memoria ad alta capacità, dedicate ai Datacenter

Samsung Electronics, azienda leader mondiale nella produzione di memorie ad alta capacità, ha annunciato oggi di aver lanciato la produzione delle nuove unità SSD NVMe con un’altissima capacità di archiviazione e basata su un design Next-generation Small Form Factor (NGSFF), realizzando un’unità d’archiviazione SSD da otto Terabyte. Il nuovo SSD NVMe NF1 da 8 TB è stato ottimizzato per applicazioni di analisi e virtualizzazione ad alta intensità di dati nei data center di nuova generazione e nei sistemi server aziendali.

Introducendo il primo SSD NF1 NVMe, Samsung sta portando l’efficienza dell’investimento nei data center a nuovi livelli“, ha dichiarato Sewon Chun, vicepresidente senior del settore Memory Marketing presso Samsung Electronics. Continueremo a guidare la tendenza verso l’abilitazione di data center e sistemi aziendali ad altissima densità offrendo soluzioni di storage con livelli di prestazioni e densità senza pari.

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Il nuovo SSD è realizzato con ben 16 nuclei NAND Samsung da 512 Gigabyte, suddivisi in 16 livelli con memorie 3-bit V-NAND da 256Gb, raggiungendo così una densità di 8 TB in un ingombro minimo di 11 cm x 3,05 cm. Questo è il doppio della capacità offerta da un tradizionale SSD  M.2 NVMe, comunemente utilizzato nelle progettazioni di server su scala ridotta o nei laptop ultra-slim. Si prevede che l’SSD NF1 sostituisca rapidamente e facilmente i tradizionali SSD NVMe da 2,5 pollici, consentendo  di espandere l’archiviazione fino a tre volte la densità del sistema nell’infrastruttura server esistente, arrivando così a potersi spingere verso soluzioni senza precedenti, potendo realizzare infrastrutture per storage da 576 TB, sfruttando appieno i server rack 2U.

L’SSD NF1 è dotato di un nuovissimo controller ad alte prestazioni che supporta il protocollo NVMe 1.3 e l’interfaccia PCIe 4.0, offrendo velocità di lettura sequenziali di 3.100 megabyte al secondo e velocità di scrittura di 2.000 MB / s. Queste velocità sono rispettivamente cinque volte e tre volte superiori rispetto a un tipico SSD SATA. Le velocità casuali arrivano a 500.000 IOPS per le operazioni di lettura e 50.000 IOPS per le scritture. Utilizzando la nuova soluzione di storage NF1, un sistema server aziendale, si possono eseguire oltre un milione di IOPS in uno spazio rack 2U, migliorando significativamente il ritorno sull’investimento per i data center di grandi dimensioni . L’SSD include anche una DRAM LPDDR4 da 12 GB per consentire un’elaborazione dei dati più rapida ed efficiente dal punto di vista energetico.

Per garantire l’affidabilità dei dati a lungo termine, l’NF1 è stato progettato con un livello di resistenza di 1,3drive write per day (DWPD), che garantisce la scrittura di un intero volume da 8TB di dati, per 1,3 volte al giorno durante il periodo di garanzia di tre anni.

Samsung prevede di affiancare al suo SSD NF1, oltre al modello con memorie 3-bit V-NAND da 256Gb, una versione con memorie 3-bit V-NAND da 512 Gb,introducendolo nella seconda metà di quest’anno; realizzando un nuovo prodotto concepito per consentire un’elaborazione ancora più veloce per le applicazioni Big Data e accelerando allo stesso tempo la crescita nelle aziende di nuova generazione e nel mercato delle soluzioni data center.

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Gianluca Barbagallo

Appassionato di tecnologia fin da piccolo, redattore con esperienza alle spalle e pronto a dare sempre il giusto consiglio, in maniera obiettiva e tecnica. Curerò insieme ai colleghi, la parte Tecnologia e Movies. Per contattarmi, potete farlo mediante i vari social network o all'indirizzo mail: [email protected]